1. Luận án đã đưa ra được biểu thức tiết diện tán xạ và độ hiệu chỉnh một vòng đối với quá trình sinh squark từ các va chạm   và   phân cực. Khảo sát sự phụ thuộc của các tỉ số tiết diện tán xạ vào hai thông số vi phạm CP   và hai hệ số phân cực   của các chùm hạt tới, kết quả cho thấy: khi các thông số này thay đổi thì tiết diện tán xạ thay đổi rất đáng kể. Tuy nhiên, quá trình sinh các hạt squark trong mô hình chuẩn MSSM là rất khó quan sát trong điều kiện phòng thí nghiệm.

            2. Luận án đã nghiên cứu chi tiết quá trình sinh axino và saxion trong va chạm   phân cực. Khi khảo sát sự phụ thuộc của tiết diện tán xạ theo sự thay đổi của hệ số phân cực, kết quả cho thấy tiết diện tán xạ có thể nhận giá trị lớn gấp hai lần so với giá trị của tiết diện tán xạ khi không xét tới sự phân cực của chùm . Mặc dù vậy, giá trị này còn nhỏ hơn nhiều so với giới hạn quan sát hiện tại trên các máy gia tốc (giới hạn quan sát trong khoảng pbarn).

            3. Luận án đã tính được tiết diện tán xạ của quá trình sinh cặp Higgs boson   từ va chạm   phân cực, kết quả cho thấy giá trị này có thể quan sát tại biên thấp của khối lượng . Đối với sinh cặp   từ va chạm   phân cực, đây là quá trình vi phạm số lepton nên tiết diện tán xạ thu được là rất nhỏ, nhỏ hơn nhiều so với quá trình sinh cặp   và khó có khả năng quan sát được trong các thí nghiệm hiện tại.